Sejauh ini, inilah transistor tercepat di dunia!

Transistor tiga dimensi tercepat akan segera kita nikmati! Baru-baru ini, sekelompok peneliti dari Jepang dan Amerika Serikat tengah bekerjasama untuk mengembangkan semacam kawat nano berlapis ganda, yang terdiri dari inti germanium dan silikon. Mereka bekerjasama untuk merealisasikan transistor tiga dimensi yang memiliki kinerja tiga kali lebih cepat dari transistor konvensional.

Grup peneliti ini dipimpin oleh Naoki Fukata, seorang ilmuwan Jepang. Para ilmuwan ini menemukan bahwa penggunaan lapisan silikon yang telah diolah dengan pengotor dan inti germanium yang mengangkut arus listrik, tidak akan bercampur satu sama lain. Sifat tidak bercampur satu sama lain ini sangat efektif untuk menekan masalah “berlebihnya pencemar” pada penggunaan transistor konvensional.

Kamu mungkin bingung dengan apa yang dimaksud dengan “pencemar”. Pencemar adalah bahan-bahan yang ditambahkan ke bahan inti transistor untuk mengurangi kemurniannya. Nah, pengurangan level kemurnian bahan-bahan inti transistor diperlukan untuk meningkatkan karakter kelistrikannya. Beberapa jenis pencemar populer adalah arsenic, indium, dan antimony. Proses penambahan pencemar dikenal dengan nama “doping“. Proses doping memang mutlak harus dilakukan namun dapat mengurangi mobilitas transportasi arus listrik.

 photo 0D3F81BD-97B5-4D71-9D5F-50266FE923CC.jpg

Integrasi tinggi pada transistor dua dimensi konvensional sulit untuk dilakukan karena kasus berlebihnya pencemar yang digunakan. Oleh karena itu, para ilmuwan Jepang dan Amerika Serikat ini mencoba menciptakan transistor tiga dimensi yang mampu memisahkan secara sempurna daerah pencemar (doped area) dan daerah transportasi arus listrik. Penggunaan inti germanium dan silikon ini tidak membutuhkan biaya yang terlalu tinggi sehingga dapat diproduksi secara massal dengan harga jual yang terjangkau.

Alasan utama mengapa kinerja transistor baru ini dianggap lebih hebat dari berbagai transistor konvensional adalah berdasarkan proses transportasi arus listrik di dalamnya. Secara sederhana, sifat pembawa arus listrik dihasilkan dalam lapisan silikon, kemudian ditransfer ke inti germanium. Nah, karena mobilitas pembawa arus listrik lebih tinggi di dalam inti germanium dibanding dengan di dalam lapisan silikon, maka mobilitas yang dihasilkan oleh transistor baru ini dapat ditingkatkan. Sudah jelas bukan? Dengan produksi massal transistor tiga dimensi canggih ini maka kinerja berbagai peralatan elektronik yang kita gunakan sehari-hari akan lebih optimal dengan asumsi daya yang digunakan adalah sama.

Credit: Science DailyTeknik ElektronikaFungsi Transistor.

Post Author: Todo Golo

Penulis profesional di bidang sains dan teknologi.

One thought on “Sejauh ini, inilah transistor tercepat di dunia!

  • Randi

    (March 25, 2016 - 5:49 am)

    Bagaimana dengan transistor J-FET dan MOSFET?

Leave a Reply